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三星开发出全球最小的DRAM芯片,速度提升10%

来源:路透社 编辑: 浏览量:783 发布时间:2017-12-20

文章摘要:三星电子表示,其已开发出全球最小的动态随机存取记忆体(DRAM)芯片,将用于云计算中心、移动设备和高速显卡等高端数据处理电子产品。

  12月20日消息,路透社报道称,三星电子表示,其已开发出全球最小的动态随机存取记忆体(DRAM)芯片,较竞争对手的技术领先优势扩大。
 
  三星电子称使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,第二代10纳米级芯片比第一代芯片快10%,功耗降低15%。
 
  受半导体业务带动,该公司今年营业利润料创下纪录高位。
 
  三星在声明中称,“第二代”10纳米级8Gb DRAM芯片的功耗和数据处理性能均改善,将用于云计算中心、移动设备和高速显卡等高端数据处理电子产品。
 
  三星称,将在2018年把多数现有DRAM生产转为10纳米级芯片。该公司在电脑芯片、电视和智能手机行业全球领先。
 
  三星电子记忆芯片部门(Memory Business)总裁Gyoyoung Jin称,这一“积极的”生产扩张,将“适应市场的旺盛需求。”
 
  三星电子在10月底任命了半导体等三个主要业务部门新一代高管后,称,眼下不会寻求扩大芯片出货,但着重于投资,以维护长期市场地位。

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